时间：2025/8/13 5:20:13
阅读：23
LN07N03TZHG 是一款由蓝箭电子（Lontek）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高频率开关应用，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制等功率电子系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：7A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤0.036Ω @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：10nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
LN07N03TZHG具备低导通电阻特性，有助于降低导通损耗并提高能效。其TO-252封装形式支持良好的散热性能，适用于紧凑型高功率密度设计。
该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了出色的开关速度和较低的开关损耗，适用于高频功率转换应用。
此外，LN07N03TZHG具备较高的热稳定性与可靠性，能在较高温度环境下稳定工作。其栅极设计支持较高的栅压容忍度（±20V），增强了在复杂工作环境中的抗干扰能力。
由于其优异的电气特性和封装优势，该MOSFET非常适合用于电池供电设备、电源适配器、同步整流电路以及各种便携式或嵌入式系统的功率管理部分。
LN07N03TZHG 主要应用于以下领域：
1. DC-DC降压/升压转换器，用于各类电子设备的稳压电源系统；
2. 负载开关电路，用于控制电源通断和热插拔管理；
3. 马达驱动电路，用于智能家电、工业控制和机器人系统；
4. 电池管理系统（BMS），用于电动汽车、储能系统和便携式电子产品；
5. 同步整流电路，提升AC-DC电源转换效率；
6. 电源管理IC外围功率开关，提升系统整体能效。
Si2302DS, AO3400, IRF7409, FDMS86101, IPD9N03C
