类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（V_DS）：60 V
　　最大漏极电流（I_D）：1.7 A
　　最大功耗（P_tot）：1.8 W
　　导通电阻（R_DS(on)）：350 mΩ @ V_GS = 10 V
　　导通电阻（R_DS(on)）：450 mΩ @ V_GS = 4.5 V
　　阈值电压（V_GS(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
　　栅极电荷（Q_g）：6 nC @ V_DS = 30 V
　　输入电容（C_iss）：320 pF @ V_DS = 30 V
　　工作温度范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装形式：SOT-223

BSV68的核心优势在于其基于Trench MOS工艺的先进结构设计，这种结构显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，使得器件能够在保持较高效率的同时承受一定的峰值电流。其350mΩ的低R_DS(on)在同类产品中表现优异，尤其在低电压、中等功率的应用场景下能够有效减少能量损耗，提升整体能效。该器件的栅极阈值电压范围适中，典型值为1.0V至2.5V之间，使其兼容多种逻辑电平驱动信号，包括3.3V和5V微控制器输出，无需额外的电平转换电路即可直接驱动，简化了系统设计复杂度。
　　另一个关键特性是其出色的热性能。SOT-223封装具有良好的散热能力，通过底部散热片可将热量高效传导至PCB，从而延长器件在持续负载下的工作寿命。此外，BSV68具备较低的输入电容和栅极电荷，意味着在高频开关操作中所需的驱动功率较小，有助于降低驱动IC的负担并减少电磁干扰（EMI）。该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在突发反向电动势或感性负载断开时吸收一定的能量而不损坏，提升了系统的鲁棒性。
　　在可靠性方面，BSV68通过了严格的工业和汽车级测试标准，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行。其宽泛的工作结温范围（最高可达+150°C）使其适用于高温工业环境或密闭空间内的电子设备。同时，器件的制造过程遵循绿色环保规范，不含铅和有害物质，满足现代电子产品对环保法规的要求。这些综合特性使BSV68成为中小功率开关应用中的理想选择。

BSV68常用于各类中低功率开关电路中，典型应用场景包括便携式电子设备中的负载开关或电源路径控制，如智能手机、平板电脑和移动电源等产品中用于电池与外设之间的通断控制。在DC-DC转换器拓扑中，它可作为同步整流开关或低端开关使用，尤其适用于降压（Buck）变换器中以提高转换效率。此外，在电机驱动电路中，BSV68可用于小型直流电机或步进电机的相位控制，凭借其快速响应能力和较低的导通损耗，能够实现平稳启停和调速功能。
　　在工业自动化领域，BSV68被广泛应用于PLC模块、传感器供电控制和继电器替代方案中，利用其固态开关特性取代机械继电器，从而提高系统响应速度并减少维护需求。它也常见于LED照明驱动电路中，作为恒流源的开关元件，实现精确的亮度调节和节能效果。在汽车电子系统中，由于其通过AEC-Q101认证，因此可用于车身控制模块、车灯控制单元或车载充电器等非主驱类应用中，提供可靠的功率切换能力。
　　此外，BSV68还可用于过流保护电路或热插拔控制器中，配合电流检测电阻和比较器构成简单的限流机制，防止系统因短路或浪涌电流而受损。其表面贴装封装形式有利于自动化生产，适用于大规模贴片焊接工艺，提升了生产效率和产品一致性。总体而言，BSV68凭借其高可靠性、小尺寸和优良的电气性能，已成为众多嵌入式系统和电源管理设计中的关键组件。

BSS138