MSAST21GBB5106KTNA01 是一款高性能的存储芯片,主要用于工业和企业级应用。它采用了先进的制造工艺,具有高密度、低功耗和高可靠性的特点。该芯片广泛应用于服务器、网络设备、存储系统以及其他需要大容量数据存储的场景。
这款存储芯片支持多种接口标准,并且具备快速的数据传输能力和强大的错误检测与纠正功能,确保在复杂环境下的稳定运行。
容量:21GB
接口类型:SATA III
工作电压:1.8V / 3.3V
数据传输速率:6 Gbps
封装形式:BGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
存储密度:21Gb
纠错能力:BCH ECC
写入寿命:高达 3000 次擦写周期
MSAST21GBB5106KTNA01 具有以下主要特性:
1. 高存储密度:采用先进的多层单元(MLC)技术,实现了高达 21GB 的存储容量。
2. 低功耗设计:通过优化电路结构和制程工艺,有效降低了芯片的功耗,在待机模式下功耗更低。
3. 快速数据传输:支持 SATA III 接口,提供高达 6 Gbps 的数据传输速率,显著提升读写性能。
4. 可靠性高:内置 BCH ECC 纠错算法,能够检测并纠正数据传输中的错误,保障数据完整性。
5. 广泛的工作温度范围:能够在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内稳定工作,适应各种恶劣环境。
6. 长寿命:具备高达 3000 次的擦写周期,延长了芯片的使用寿命。
MSAST21GBB5106KTNA01 主要应用于以下领域:
1. 服务器存储:为数据中心和云计算平台提供大容量、高性能的存储解决方案。
2. 工业控制:适用于工业自动化设备中对数据存储要求较高的场景。
3. 网络通信:在网络路由器、交换机等设备中用作缓存或固态存储。
4. 嵌入式系统:用于嵌入式计算设备中,满足其对高可靠性存储的需求。
5. 医疗设备:在医疗影像存储和其他关键任务应用中提供稳定的存储支持。
MSAST16GBB5106KTNA01
MSAST32GBB5106KTNA01