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BST52,135 发布时间 时间:2025/9/14 5:25:43 查看 阅读:6

BST52,135 是由Nexperia(原Philips Semiconductors)生产的一款NPN型双极性晶体管(BJT),主要用于通用开关和放大应用。该晶体管采用SOT23(TO-236AB)封装,具有良好的性能和可靠性,适合在各种电子电路中使用。该器件设计用于中等功率应用,具备较高的电流放大能力和良好的频率响应。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):30V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):300mW
  电流增益(hFE):110-800(根据等级不同)
  过渡频率(fT):100MHz
  封装类型:SOT23

特性

BST52,135 是一款广泛使用的通用NPN晶体管,其主要特性包括高电流增益、低饱和电压和良好的频率响应。由于其hFE值范围较广(从110到800),该晶体管适用于多种放大和开关电路。其SOT23封装形式使其易于在印刷电路板(PCB)上安装,并具有良好的热稳定性和机械强度。此外,BST52,135 在高温环境下仍能保持稳定工作,适用于工业级温度范围。该晶体管还具有较低的基极-发射极开启电压,有助于提高电路的能效。

应用

BST52,135 常用于各种电子设备中的开关和放大电路。典型应用包括数字逻辑电路中的驱动开关、音频放大器中的前置放大级、传感器信号调理电路、电源管理和控制电路等。由于其封装小巧,也常用于便携式电子设备和消费类电子产品中。

替代型号

BC547, BC548, 2N3904, PN2222

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BST52,135参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.3V @ 500µA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)50nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)2000 @ 500mA,10V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 频率 - 转换200MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称933644270135BST52 /T3BST52 /T3-ND