RF21N0R8A251CT 是一款高性能的射频功率晶体管,专为高频无线通信和射频应用设计。它采用先进的半导体制造工艺,能够在高频率下提供稳定的增益和输出功率,适用于基站、无线电设备以及其他射频放大场景。
该器件支持宽带操作,同时具备良好的线性和效率表现,适合要求严格的射频功率放大器(PA)应用。
型号:RF21N0R8A251CT
工作频率范围:400 MHz 至 2700 MHz
最大输出功率:30 W (典型值)
增益:10 dB (典型值)
电源电压:28 V
静态电流:2 A (典型值)
封装形式:TO-263-7
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
1. 高输出功率,能够满足大多数射频通信系统的功率需求。
2. 宽带操作能力,覆盖从400 MHz到2700 MHz的频率范围。
3. 优秀的线性度和效率性能,有助于减少失真并提高系统整体效率。
4. 内部匹配网络优化,简化外部电路设计。
5. 稳定的电气特性,确保在不同环境条件下可靠运行。
6. 封装散热性能良好,可有效降低温升对器件性能的影响。
1. 无线基础设施中的射频功率放大器,如蜂窝基站和中继站。
2. 工业、科学和医疗(ISM)频段的射频设备。
3. 航空航天及国防领域的射频发射机。
4. 测试与测量仪器中的信号源放大。
5. 民用和军用无线电通信系统。
6. 移动通信终端的高功率射频模块。
RF21N0R8A251FT, RF21N0R8A251GT