时间：2025/9/15 1:05:00
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BSS87,115 是一款由 NXP（恩智浦）生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于中低功率的电源管理和负载开关应用。该器件采用小型 SOT223 封装，适合空间有限的电路设计。BSS87,115 提供良好的导通性能和较低的静态损耗，适用于电池供电设备、DC-DC 转换器和电机控制等场景。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：-30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id（@25°C）：-100mA
功耗 Pd：300mW
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：SOT223
BSS87,115 是一款性能稳定、功耗低的 P 沟道 MOSFET 器件，具备较高的热稳定性和电气可靠性。其主要特性包括：
1. **低导通电阻**：在 -10V 的栅极驱动电压下，漏源导通电阻 Rds(on) 典型值为 4Ω，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. **低功耗设计**：静态电流极低，适用于电池供电设备，有助于延长设备使用时间。
3. **高可靠性**：器件具备良好的热稳定性和过载能力，能够在较宽温度范围内稳定工作。
4. **快速开关特性**：具有较短的开关时间（开启时间约 8ns，关闭时间约 15ns），适用于中高频开关应用。
5. **静电保护能力**：内置一定的静电放电（ESD）保护能力，提高器件在复杂电磁环境中的稳定性。
6. **广泛的工作温度范围**：可在 -55°C 至 +150°C 的环境中正常工作，适应工业级和汽车级应用需求。
BSS87,115 主要用于以下应用场景：
1. **电池供电设备**：如便携式电子设备、手持仪器和低功耗传感器系统，作为负载开关或电源管理器件，实现高效节能。
2. **DC-DC 转换器**：用于小型电源模块、电压调节电路和低功率转换器中，实现电压升降转换和功率控制。
3. **负载开关和继电器替代**：在需要实现低功耗开关控制的场合，如 LED 驱动、电机控制和小型继电器电路中使用。
4. **工业控制和自动化系统**：用于 PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和小型执行机构的控制回路中。
5. **汽车电子**：适用于车载电源管理、仪表控制和车载信息娱乐系统的电源开关应用。
2N3906, BSS84, FDN340P
