时间：2025/6/16 17:07:42
阅读：5
BSS84W 是一款N沟道硅增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛用于需要低漏电流和高开关速度的电路中。该器件采用SOT23封装，适用于各种便携式设备和空间受限的应用场景。
BSS84W 的设计使其非常适合用作开关或保护元件，尤其是在反向电压保护、负载开关和ESD保护等应用中。其出色的性能和紧凑的封装形式使它成为许多工程师在设计中的首选。
最大漏源电压：-50V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏极电流：-0.15A
最大脉冲漏极电流：-0.6A
导通电阻：1700Ω
栅极电荷：2nC
总电容：11pF
工作结温范围：-55°C至+150°C
存储温度范围：-65°C至+150°C
BSS84W 具有以下显著特点：
1. 高击穿电压：能够承受高达50V的漏源电压，确保在高压环境下的稳定性。
2. 极低的泄漏电流：在关断状态下表现出极低的漏电流，有助于降低功耗。
3. 快速开关能力：由于其低栅极电荷和优化的设计，能够在高频应用中提供快速开关性能。
4. 紧凑的SOT23封装：体积小，便于安装在空间有限的PCB上。
5. 优异的热稳定性：支持的工作结温范围广，适用于各种环境条件。
6. ESD防护能力：内置保护机制增强了器件的可靠性。
以上这些特性使得 BSS84W 成为众多低压电子系统中不可或缺的一部分。
BSS84W 主要应用于以下领域：
1. 反向电池保护：防止因电池极性接反而损坏电路。
2. 开关电路：用作高效、可靠的电子开关。
3. 负载切换：在不同负载之间进行快速切换。
4. 信号路由：用于多路复用器和解复用器中。
5. ESD保护：在敏感电路中提供额外的静电放电防护。
6. 便携式设备：如手机、平板电脑和其他消费类电子产品中使用。
其多功能性和高可靠性使其成为现代电子设计的理想选择。
BSS84,
BSS138,
FDC656BN,
AO3400
