时间：2025/12/27 7:53:43
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4N70G-TN3-R是一款由Vishay Semiconductors生产的高性能光耦合器（光电隔离器），广泛应用于需要电气隔离的电路设计中。该器件集成了一个砷化镓红外发光二极管（IR LED）和一个与之光耦合的N沟道功率MOSFET，构成了一种固态继电器（SSR）结构，通常被称为“光继电器”或“光耦MOSFET”。这种结构使得4N70G-TN3-R能够在输入和输出之间提供高达1500 Vrms的隔离电压，适用于高电压、高可靠性要求的应用场景。该器件采用SMD-4（DIP-4兼容）小型表面贴装封装，便于在紧凑型PCB设计中使用，并具有良好的热稳定性和长期可靠性。
4N70G-TN3-R的命名中，“4N”代表其为光耦系列，“70”表示其输出端MOSFET的击穿电压等级（典型为700V），“G”表示其为增强型输出特性，“TN3-R”则指明其为卷带包装、符合RoHS标准的工业级版本。该器件常用于替代传统电磁继电器，在不产生机械磨损、电弧和接触抖动的前提下实现开关功能，特别适合自动化控制、工业电源、医疗设备和测试仪器等对安全和寿命有较高要求的系统。
器件类型：光耦MOSFET（光继电器）
通道数：1
输入正向电流（IF）：50 mA
输入反向电压（VR）：6 V
输出耐压（VDSS）：700 V
输出连续电流（ID）：150 mA
输出导通电阻（RON）：20 Ω（典型值）
隔离电压（Viso）：1500 Vrms
响应时间（Turn-On/Turn-Off）：4 ms / 2 ms
工作温度范围：-40°C 至 +100°C
存储温度范围：-55°C 至 +125°C
封装类型：SMD-4（Stretched SO-4）
4N70G-TN3-R的核心特性之一是其基于光控MOSFET的输出结构，使其具备优异的电气隔离性能和长寿命。与传统的机械继电器相比，该器件无触点、无噪音、无火花，避免了因接触氧化、弹跳或电弧引起的故障，极大提升了系统的可靠性和安全性。其700V的高输出耐压能力使其适用于多种高压开关应用，例如AC线路控制、电池管理系统中的高压侧开关以及工业PLC输出模块。此外，低导通电阻（典型20Ω）确保了在负载电流下较小的功率损耗和温升，有助于提高整体能效。
该器件的输入端采用标准红外LED，可直接由微控制器、逻辑门电路或数字信号驱动，驱动电流典型为5–15mA，兼容TTL和CMOS电平。其1500 Vrms的隔离电压满足IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准的加强绝缘要求，适用于医疗设备和工业安全等级较高的场合。响应时间方面，开启时间约为4ms，关断时间为2ms，虽然不如高速光耦快，但在大多数功率开关应用中已足够使用。
4N70G-TN3-R还具备良好的抗干扰能力，由于其光隔离机制，能够有效抑制地环路噪声、共模瞬变和电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。其SMD-4封装不仅节省空间，还支持自动化贴片生产，适合大规模制造。此外，该器件具有出色的温度稳定性，在-40°C至+100°C的工作范围内性能变化小，适用于严苛环境下的长期运行。
4N70G-TN3-R广泛应用于需要电气隔离和高电压开关的电子系统中。在工业自动化领域，它常被用于可编程逻辑控制器（PLC）的输出模块，实现对交流或直流负载的控制，如电机启停、电磁阀驱动和指示灯管理。在电力系统中，可用于电池管理系统（BMS）中的高压继电器替代方案，控制电池组的充放电回路，避免高压对低压控制电路的影响。
在测试与测量设备中，该光继电器可用于自动测试设备（ATE）中的信号路由和负载切换，因其无机械磨损和长寿命，可显著降低维护成本。在医疗电子设备中，由于其高隔离电压和符合安全标准，可用于病人连接设备中的电源开关或信号隔离，确保操作人员和患者的安全。
此外，4N70G-TN3-R也适用于固态继电器（SSR）模块的设计，作为核心开关元件，替代笨重且易损的电磁继电器。在智能电表、光伏逆变器和UPS不间断电源中，也可用于实现远程控制和状态监测功能。其表面贴装封装还使其适用于高密度印刷电路板设计，满足现代电子产品小型化和轻量化的需求。
VO1263A
H11F3M
SFH6206-3
TLP290-4
