BSS84T/R 时间：2025/8/15 4:15:17 阅读：6

BSS84T/R 是一款广泛应用于电子电路中的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产。该器件以其高性能、低导通电阻和高可靠性而著称，适用于多种开关和逻辑控制应用。BSS84T/R 采用SOT-23（Small Outline Transistor）封装，具有较小的封装体积，适合在空间受限的电路中使用。其主要功能是在电路中作为电子开关或电压控制器件，能够高效地控制电流的通断。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大连续漏极电流（ID）：-100mA
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为5Ω（VGS = -10V时）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　功耗（PD）：300mW

特性

BSS84T/R 具备一系列优秀的电气和物理特性，使其在众多P沟道MOSFET中脱颖而出。首先，其最大漏源电压为-100V，使其能够在较高电压环境下稳定运行，适用于多种工业和消费类电子设备。其次，该器件的导通电阻较低，最大值为5Ω（在栅源电压为-10V时），这有助于减少功率损耗并提高整体电路效率。
　　此外，BSS84T/R 的最大连续漏极电流为-100mA，足以满足许多低功耗应用的需求。该器件的栅源电压范围为±20V，具有较强的抗电压波动能力，从而提高了器件的稳定性和使用寿命。同时，BSS84T/R 的工作温度范围为-55°C至+150°C，使其能够在极端温度条件下正常运行，适用于较为恶劣的环境。
　　该MOSFET采用SOT-23封装，具有体积小、重量轻和安装方便的优点，非常适合用于高密度PCB设计。同时，其功耗为300mW，能够在不使用散热片的情况下有效散热，进一步提高了其在各种应用中的适应性。
　　总体而言，BSS84T/R 凭借其高耐压、低导通电阻、宽工作温度范围和紧凑的封装设计，成为一款性能优异的P沟道MOSFET，广泛应用于各种电子系统中。

应用

BSS84T/R MOSFET因其高性能和可靠性，被广泛应用于多个领域。其中，最常见的应用之一是作为负载开关，用于控制电源的通断。例如，在电池供电设备中，BSS84T/R 可以用来实现低功耗模式的切换，从而延长电池寿命。此外，它还可以用于DC-DC转换器中的同步整流器，提高电源转换效率。
　　在数字电路中，BSS84T/R 常用于逻辑电平转换和信号开关，能够有效地在不同电压域之间传递信号。例如，在微控制器与外围设备之间的接口电路中，它可以用来实现不同电压电平之间的隔离与转换。
　　另外，BSS84T/R 还适用于电机控制、LED驱动和继电器替代等应用。在这些应用中，该器件能够提供快速的开关响应和较低的导通损耗，从而提升系统的整体性能。由于其SOT-23封装的小巧尺寸，BSS84T/R 特别适合用于便携式电子产品、智能卡读写器、传感器接口以及各种工业控制设备中。