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BSS816NWH6327 发布时间 时间:2025/8/2 7:28:02 查看 阅读:23

BSS816NWH6327 是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的Trench技术,具有低导通电阻和高开关性能,适用于中高功率的开关应用。该器件采用PG-TSDSO-8封装,具有良好的热性能和电气性能,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±10V
  连续漏极电流(Id):5.3A
  导通电阻(Rds(on)):最大24mΩ @ Vgs=4.5V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:PG-TSDSO-8

特性

BSS816NWH6327 具备多项优良特性,首先是其低导通电阻,在4.5V的栅极驱动电压下最大为24mΩ,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET采用了英飞凌的Trench技术,能够实现更高的电流密度和更优的开关性能。
  该器件的连续漏极电流能力为5.3A,适用于中等功率级别的应用,例如负载开关、电源转换和电机控制。其栅源电压范围为±10V,提供了较高的驱动灵活性,同时具备良好的抗过压能力。
  PG-TSDSO-8封装形式不仅提供了良好的散热性能,还支持表面贴装工艺,适用于自动化生产流程。这种封装形式也便于PCB布局并提高整体系统可靠性。
  在工作温度方面,BSS816NWH6327能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作,适用于各种严苛环境下的应用,例如工业控制、汽车电子和消费类电子产品。

应用

BSS816NWH6327 主要应用于需要高效功率控制的场合,例如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电池管理系统等。其低导通电阻和高开关性能使其在电源管理领域表现出色,尤其适用于要求高效率和紧凑设计的便携式设备和电源适配器。
  在工业控制方面,该MOSFET可用于电机驱动、继电器替代以及PLC系统中的开关控制。由于其良好的热稳定性和可靠性,BSS816NWH6327也适用于长时间运行的工业设备和自动化系统。
  此外,BSS816NWH6327还可用于汽车电子系统,如车载充电器、LED照明驱动和车载信息娱乐系统的电源管理模块,满足汽车环境下的高可靠性要求。

替代型号

BSS816N, BSS840N, BSC016N04LS, BSS138K

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