EMK316BC6226ML-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,专为高效率、低功耗的应用场景设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于 DC-DC 转换器、电源管理模块以及电机驱动等应用领域。
其封装形式紧凑,能够有效节省 PCB 空间,同时具备出色的散热性能,确保在高负载条件下的稳定运行。
型号:EMK316BC6226ML-T
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅极电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):22A
导通电阻(Rds(on)):2.6mΩ(典型值,在 Vgs=10V 条件下)
栅极电荷(Qg):45nC(典型值)
总功耗(Ptot):175W
工作温度范围(Ta):-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263 (D2PAK)
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有助于降低传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力,可支持高频工作环境,适用于开关电源和逆变器。
3. 具备强大的电流承载能力,适合大功率应用场景。
4. 内置静电防护功能,增强器件的可靠性。
5. 封装形式紧凑且散热性能优异,适合空间受限的设计需求。
6. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的使用要求。
1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关元件。
2. 电池管理系统(BMS) 中的大电流保护电路。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和控制。
4. 通信设备中的电源管理和信号调节。
5. 汽车电子系统中的负载切换和电源分配。
6. LED 照明驱动中的功率转换模块。
IRF3710, FDP5800, AO3400A