时间：2025/5/12 14:17:00
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FQP6N80是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点，适用于多种功率转换和开关应用场合。其耐压能力为80V，广泛用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：11A
导通电阻（Rds(on)）：0.13Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：45nC（最大值）
总功耗：115W
工作结温范围：-55℃至+150℃
FQP6N80的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用。
3. 具有出色的雪崩击穿能力和热稳定性，可确保在严苛条件下可靠运行。
4. 小巧紧凑的TO-220封装设计，便于安装 符合RoHS标准，环保且易于使用在各种现代电子设备中。
FQP6N80因其优异的性能表现而被广泛应用于多个领域：
1. 开关电源（SMPS）及DC-DC转换器中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的逆变桥臂或斩波器组件。
3. 各类负载切换和保护电路中的电子开关。
4. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
5. 汽车电子系统内的电源管理和驱动功能模块。
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