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BSS315PH6327XTSA1 发布时间 时间:2025/7/11 15:39:45 查看 阅读:6

BSS315PH6327XTSA1 是一款基于硅材料制造的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。它通常用于需要高效率开关和低导通电阻的应用场景中。该器件具有出色的开关性能和耐热性,适用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
  这款 MOSFET 的封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装,使其非常适合在空间受限的设计中使用。同时,它的低栅极电荷和快速开关速度也使得其在高频应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:0.49A
  导通电阻(典型值):1Ω
  栅极电荷:3nC
  开关时间:ton=10ns, toff=8ns

特性

BSS315PH6327XTSA1 的主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,能够适应高频工作环境。
  3. 高输入阻抗,简化了驱动电路设计。
  4. 良好的热稳定性,确保在较宽温度范围内的可靠运行。
  5. 小型化封装(SOT-23),节省 PCB 空间,适合便携式设备。
  6. 可靠的电气性能,适用于各种电源管理应用。

应用

该元器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
  器的开关元件。
  3. 电池保护电路中的负载开关。
  4. 各类消费电子产品中的信号切换。
  5. 电机驱动和工业自动化控制中的功率级组件。
  6. 通信设备中的电源管理模块。

替代型号

BSS315, BSS123, AO3400

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BSS315PH6327XTSA1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥3.82000剪切带(CT)3,000 : ¥0.84743卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)150 毫欧 @ 1.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 11μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)2.3 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)282 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-SOT23
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3