BSS315PH6327XTSA1 是一款基于硅材料制造的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。它通常用于需要高效率开关和低导通电阻的应用场景中。该器件具有出色的开关性能和耐热性,适用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
这款 MOSFET 的封装形式为 SOT-23 小型表面贴装封装,使其非常适合在空间受限的设计中使用。同时,它的低栅极电荷和快速开关速度也使得其在高频应用中表现出色。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:0.49A
导通电阻(典型值):1Ω
栅极电荷:3nC
开关时间:ton=10ns, toff=8ns
BSS315PH6327XTSA1 的主要特点包括:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 快速的开关速度,能够适应高频工作环境。
3. 高输入阻抗,简化了驱动电路设计。
4. 良好的热稳定性,确保在较宽温度范围内的可靠运行。
5. 小型化封装(SOT-23),节省 PCB 空间,适合便携式设备。
6. 可靠的电气性能,适用于各种电源管理应用。
该元器件广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
器的开关元件。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 各类消费电子产品中的信号切换。
5. 电机驱动和工业自动化控制中的功率级组件。
6. 通信设备中的电源管理模块。
BSS315, BSS123, AO3400