时间：2022/12/21 15:26:22
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晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:200mA
电压, Vds 最大:50V
开态电阻, Rds(on):3.5ohm
电压 @ Rds测量:5V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:360mW
工作温度范围:-55oC to +150oC
晶体管极性:N
漏极电流, Id 最大值:200mA
电压, Vds 最大:50V
开态电阻, Rds(on):3.5ohm
电压 @ Rds测量:5V
电压, Vgs 最高:20V
功耗:360mW
工作温度范围:-55oC to +150oC
封装类型:SOT-23
功率, Pd:0.36W
封装类型:SOT-23
晶体管类型:MOSFET
电压 Vgs @ Rds on 测量:5V
电压, Vds 典型值:50V
电流, Id 连续:0.2A
电流, Idm 脉冲:0.8A
表面安装器件:表面安装
针脚配置:1(G), 2(S),3(D)
阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V
阈值电压, Vgs th 最低:0.5V
阈值电压, Vgs th 最高:2V
| 厂商 |
|---|
| Diodes Incorporated |
