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BSS138TA 发布时间 时间:2022/12/21 15:26:22 查看 阅读:1153

    晶体管极性:N

    漏极电流, Id 最大值:200mA

    电压, Vds 最大:50V

    开态电阻, Rds(on):3.5ohm

    电压 @ Rds测量:5V

    电压, Vgs 最高:20V

    功耗:360mW

    工作温度范围:-55oC to +150oC

 


目录

概述

    晶体管极性:N

    漏极电流, Id 最大值:200mA

    电压, Vds 最大:50V

    开态电阻, Rds(on):3.5ohm

    电压 @ Rds测量:5V

    电压, Vgs 最高:20V

    功耗:360mW

    工作温度范围:-55oC to +150oC

    封装类型:SOT-23

    功率, Pd:0.36W

    封装类型:SOT-23

    晶体管类型:MOSFET

    电压 Vgs @ Rds on 测量:5V

    电压, Vds 典型值:50V

    电流, Id 连续:0.2A

    电流, Idm 脉冲:0.8A

    表面安装器件:表面安装

    针脚配置:1(G), 2(S),3(D)

    阈值电压, Vgs th 典型值:1.5V

    阈值电压, Vgs th 最低:0.5V

    阈值电压, Vgs th 最高:2V


资料

厂商
Diodes Incorporated

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BSS138TA参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C200mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.5 欧姆 @ 220mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds50pF @ 10V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSS138ZXTR