时间：2025/8/9 2:00:43
阅读：27
2SK2768-01L 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频开关应用。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和高可靠性，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池供电设备等场景。2SK2768-01L 的封装形式为SOT-23，是一种小型表面贴装封装，便于在高密度电路中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值5Ω
功率耗散（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2SK2768-01L MOSFET具有多项优异的电气特性，使其在多种应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件的最大漏源电压为60V，适用于中低功率的开关应用。栅源电压容限为±20V，使得其在驱动方面具有较强的抗干扰能力。
此外，该MOSFET的封装形式为SOT-23，具有良好的热性能和紧凑的尺寸，适合空间受限的设计。该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关电路，如DC-DC转换器和LED驱动电路。
在可靠性方面，2SK2768-01L 采用了东芝的先进制造工艺，确保了其在高温和高压条件下的稳定运行。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够适应严苛的工作环境。
2SK2768-01L MOSFET广泛应用于多种电子设备中，包括便携式电子产品、工业控制系统、电源管理模块以及电池供电设备。其在DC-DC转换器中可作为高边或低边开关使用，以提高转换效率。此外，该器件也适用于负载开关、电机驱动电路以及LED背光控制电路。
2SK3018, 2SK2768-01
