时间：2025/8/5 3:41:56
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GS3140-INTE3 是一款由 GSI Technology 生产的高性能异步静态随机存取存储器（Static RAM，SRAM）。该器件主要用于需要高速数据访问和低延迟的应用，如网络设备、通信系统、工业控制设备和高性能计算模块。GS3140-INTE3 是一个 4Mbit（256K x 16）的SRAM芯片，采用高速异步架构，能够提供快速的数据读写操作。该芯片封装形式为48引脚TSOP（Thin Small Outline Package），适用于工业级温度范围。
容量：4Mbit
组织结构：256K x 16
访问时间：10ns
电源电压：3.3V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：48-TSOP
引脚数量：48
接口类型：异步
读取电流（最大）：300mA
待机电流（最大）：10mA
GS3140-INTE3 的高性能SRAM架构允许其在10ns的访问时间内实现快速数据存取，非常适合需要高带宽和低延迟的系统。其异步接口设计使其能够灵活地与多种主控设备进行通信，而无需特定的时钟同步要求。此外，该芯片支持低功耗待机模式，有助于在系统空闲时节省能源。
GS3140-INTE3 提供了广泛的工作温度范围（-40°C至+85°C），使其适用于工业和恶劣环境下的应用。该芯片的高可靠性和稳定性使其成为通信设备和嵌入式系统中常用的选择。
该器件采用48-TSOP封装，具有较小的尺寸，便于在空间受限的设计中使用。其3.3V电源供电设计也简化了电源管理电路的需求，降低了整体系统的功耗。
GS3140-INTE3 通常用于网络交换设备、路由器、通信基站、工业自动化控制系统、数据采集系统以及嵌入式处理器模块等场合。由于其高速特性和低延迟，该芯片非常适合用于缓存、帧缓冲器、数据缓冲存储器以及需要快速数据访问的中间存储单元。
IS61LV25616-10T, CY62148EVLL-45Z, IDT71V416SA10PFG
