时间：2025/9/2 9:55:07
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H9HCNNNBKMMLXR-NEE是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，专为高端计算、网络设备和服务器应用设计。该芯片采用先进的制造工艺和高密度封装技术，提供大容量存储和快速的数据访问速度，满足对内存性能要求极高的应用场景。
芯片类型：DRAM
容量：256MB / 512MB（根据具体配置）
数据速率：1600Mbps / 1866Mbps
电压：1.5V / 1.35V（低电压版本）
封装类型：BGA（球栅阵列封装）
引脚数：128 / 144 pin
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：DDR3 / DDR4（取决于具体型号）
H9HCNNNBKMMLXR-NEE具有多项先进的技术特性，包括低功耗设计、高数据吞吐量以及优异的信号完整性。该芯片支持自动刷新（Auto Refresh）和自刷新（Self Refresh）功能，确保在不频繁访问时仍能保持数据完整性，从而降低功耗。此外，它还支持温度补偿自刷新（TCSR）技术，以适应不同的工作环境温度变化。
在性能方面，该DRAM芯片采用优化的内部架构，提高了数据访问效率，支持多Bank操作和突发传输模式，提升整体系统性能。其BGA封装设计不仅减小了PCB布局空间，还提升了高频工作下的电气性能，降低了电磁干扰（EMI）。
这款芯片还具备高可靠性和稳定性，适用于长时间运行的服务器和网络设备，能够在严苛环境下保持稳定的运行状态。同时，其兼容性良好，可与其他主流内存控制器和平台协同工作。
H9HCNNNBKMMLXR-NEE广泛应用于高性能计算（HPC）、服务器、企业级存储系统、网络交换机和路由器等需要高容量、高速内存的设备。此外，它也适用于图形工作站、工业控制系统和嵌入式系统等对内存性能有较高要求的场景。
H9HCNNNBKMMLXR-NEE的替代型号包括H9TNNNNBJUMC-NEE（容量和封装相近）、H9HQNNNEDMMUB-NEE（同系列低电压版本）以及来自其他厂商如Micron的MT48LC16M2A2B4-6A和Samsung的K4B4G1646Q-BCK0等。
