时间：2025/6/17 1:32:38
阅读：5
BSS123W-7-F 是一种 N 沟道增强型小信号场效应晶体管 (MOSFET)，适用于各种低功率开关和放大应用。该器件采用 SOT-23 封装，具有出色的开关特性和低导通电阻特性，适合在高频和低电压环境下工作。
由于其小型化设计和高性能表现，BSS123W-7-F 在消费电子、通信设备及工业控制领域中被广泛使用。
最大漏源电压 Vds：60V
最大栅源电压 Vgs：±20V
最大漏极电流 Id：0.48A
漏源导通电阻 Rds(on)：5.5Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷 Qg：3nC（典型值）
总功耗 Ptot：420mW
工作温度范围 Tj：-55°C 至 +150°C
BSS123W-7-F 的主要特点是其高效率的开关性能和较低的导通电阻，这使其非常适合需要频繁开关操作的应用场景。此外，它还具有以下特性：
1. 极低的输入电容，能够有效减少开关损耗并提高频率响应。
2. 高击穿电压（60V），可确保在较高电压环境下的稳定性。
3. 采用标准的 SOT-23 封装形式，便于表面贴装工艺，并且节省了 PCB 空间。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
5. 静态和动态参数一致性好，简化电路设计和生产过程。
该 MOSFET 主要应用于需要精确电流控制和快速开关响应的场合，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 直流电机驱动和 PWM 控制电路。
3. 各种电池管理系统的保护电路。
4. 便携式电子设备中的负载开关。
5. LED 驱动电路及信号调理模块。
BSS123W-7-F 凭借其优异的电气性能和可靠的设计，成为众多低功率电子系统的核心组件之一。
BSS123, BSS123W
