BL500P10TD 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和稳定性。
BL500P10TD 属于 N 沟道增强型 MOSFET,其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:50A
导通电阻(典型值):4mΩ
栅极电荷:65nC
开关速度:30ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
BL500P10TD 的主要特性包括以下几点:
1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统整体效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用场合,能够有效降低开关损耗。
3. 强大的热性能表现,确保在高负载条件下也能保持稳定运行。
4. 高雪崩击穿能量能力,增强了器件的鲁棒性和可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
BL500P10TD 广泛应用于多种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 工业控制设备中的负载切换。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
IRF540N, FDP5500, AO3400