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BSS123LT1G 发布时间 时间:2024/7/8 15:24:18 查看 阅读:239

BSS123LT1G是一种低电阻场效应晶体管(MOSFET),属于N沟道类型,适用于低电压低功率应用。它具有快速开关速度、低导通电阻和低输入电容等优点,可以用于电源管理、LED驱动、电机控制和电路保护等领域。
  BSS123LT1G的工作原理是基于场效应晶体管(FET)的工作原理。场效应晶体管有三个区域:源极、漏极和栅极。在BSS123LT1G中,栅极为P型掺杂,源极和漏极为N型掺杂。当正电压施加到栅极时,形成一个电场,使得电子从源极流向漏极。这个过程中,栅极和源极之间的电势差控制着通道的导电性能。
  在导通状态下,BSS123LT1G的电阻非常低,电流可以流过FET的通道,这样就可以控制输出电压。在截止状态下,FET的通道被阻塞,电流不能流过,这样就可以控制输出电流。因此,BSS123LT1G可以作为开关或变阻器使用。

基本结构

BSS123LT1G的基本结构包括源极、漏极、栅极和背面金属。源极和漏极由N型半导体材料制成,栅极由P型掺杂材料制成。背面金属用于连接源极和栅极,通常被接地。BSS123LT1G的尺寸非常小,可以被制成SOT-23封装,方便在PCB板上布局。

参数

BSS123LT1G的参数包括额定功率、最大电源电压、漏极电流、漏极-源极电阻、栅极-源极电容等。额定功率为0.45W,最大电源电压为100V,漏极电流为0.17A,漏极-源极电阻为4.5Ω,栅极-源极电容为14pF。

特点

BSS123LT1G具有多种特点和优势,适用于多种应用,如电源管理、电池管理和DC-DC转换。主要特点如下:
  1、低漏极电流:BSS123LT1G的漏极电流很低,适用于低功耗应用。
  2、低开启电压:BSS123LT1G的开启电压很低,适用于低电压应用。
  3、低栅极-源极阈值:BSS123LT1G的栅极-源极阈值很低,适用于低电压应用。
  4、高开关速度:BSS123LT1G的开关速度很快,适用于高频应用。
  5、可靠性:BSS123LT1G的可靠性很高,可以长时间稳定工作。

工作原理

BSS123LT1G的工作原理是当栅极电压高于阈值电压时,漏极-源极通道形成,电流可以从漏极到源极流过。当栅极电压低于阈值电压时,通道关闭,电流无法通过。

应用

BSS123LT1G的应用主要包括电源管理、电池管理和DC-DC转换。具体应用如下:
  1、电源管理:BSS123LT1G可用于低压降开关电源中,提供高效的电源控制和保护。
  2、电池管理:BSS123LT1G可用于电池保护电路中,以防止电池过充、过放和短路。
  3、DC-DC转换:BSS123LT1G可用于开关稳压器和DC-DC转换器中,提供高效的电流控制和保护。

设计流程

使用BSS123LT1G进行设计需要进行以下步骤:
  1、确定应用:首先需要确定使用BSS123LT1G的应用,例如电源管理、电池管理或DC-DC转换。
  2、选择电路拓扑:根据应用需求选择合适的电路拓扑,例如开关稳压器、升压或降压转换器等。
  3、选择元器件:根据所选电路拓扑和应用需求选择合适的元器件,包括BSS123LT1G、电感、电容、二极管等。
  4、进行电路设计:根据所选元器件和电路拓扑进行电路设计,并进行仿真和验证。
  5、PCB设计:根据电路设计制作PCB,包括布局、布线、焊接等。
  6、进行测试和调试:对设计的电路进行测试和调试,确保电路正常工作。

设计流程

使用BSS123LT1G进行设计需要进行以下步骤:
  1、确定应用:首先需要确定使用BSS123LT1G的应用,例如电源管理、电池管理或DC-DC转换。
  2、选择电路拓扑:根据应用需求选择合适的电路拓扑,例如开关稳压器、升压或降压转换器等。
  3、选择元器件:根据所选电路拓扑和应用需求选择合适的元器件,包括BSS123LT1G、电感、电容、二极管等。
  4、进行电路设计:根据所选元器件和电路拓扑进行电路设计,并进行仿真和验证。
  5、PCB设计:根据电路设计制作PCB,包括布局、布线、焊接等。
  6、进行测试和调试:对设计的电路进行测试和调试,确保电路正常工作。

安装要点

BSS123LT1G的安装要点包括正确焊接、正确的布局和散热。以下是具体的安装要点:
  1、焊接:焊接时应使用正确的焊接工具和技术,以确保电路板和元器件之间的良好连接。建议使用无铅焊料以避免铅污染,同时避免使用过多的焊料以防止短路和其他问题。
  2、布局:正确的布局可以最大程度地减少噪声和干扰,同时提高电路的性能和可靠性。应将BSS123LT1G与其他元器件分开布局,避免相互干扰。应尽可能减少元器件之间的距离,以减少电路的电感和噪声。
  3、散热:散热是确保元器件正常工作的重要因素之一。应该考虑元器件的功耗和散热条件,以确保元器件始终处于安全温度范围内。如果需要更好的散热,可以使用散热器或其他散热设备。

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BSS123LT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C170mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 欧姆 @ 100mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds20pF @ 25V
  • 功率 - 最大225mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSS123LT1GOSTR