晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vceo）：150V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功率耗散（Pd）：200mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　直流电流增益（hFE）：在 Ic=2mA 时为 80 至 600（具体取决于等级）
　　封装类型：SOT-23

MMDT5551K4N 的主要特性包括高电流增益（hFE），这使得它在信号放大应用中表现优异。每个晶体管的 hFE 值范围较大，允许用户根据具体需求选择合适的工作点，从而优化电路性能。
　　此外，该器件的工作频率高达 100MHz，适用于高频信号放大和处理。其低噪声特性使其非常适合用于音频放大器和其他对噪声敏感的应用。
　　晶体管之间的匹配性较好，使得 MMDT5551K4N 在需要对称性能的差分放大器中表现出色。
　　由于采用 SOT-23 小型封装，MMDT5551K4N 非常适合用于空间受限的电路设计，同时保持了良好的散热性能和可靠性。
　　该器件的工作温度范围较宽，通常适用于工业级温度范围（-55°C 至 +150°C），因此可以在各种恶劣环境下稳定运行。

MMDT5551K4N 主要用于需要高性能晶体管的电子电路中，如音频放大器、射频放大器、信号处理电路和逻辑电平转换电路等。在音频放大器设计中，它可用于前置放大或驱动级，提供高增益和低噪声性能。
　　在射频应用中，该晶体管可用于中低功率的射频信号放大，其高频率响应使其适合用于调制解调器和无线通信设备。
　　此外，MMDT5551K4N 还常用于开关电路，例如 LED 驱动、继电器控制和电机驱动等应用，其较高的集电极-发射极电压（Vceo）使其适合用于中高压开关场景。
　　由于其两个晶体管集成在一个封装中，MMDT5551K4N 在差分放大电路和桥式电路中也得到广泛应用，例如在运算放大器前端、比较器电路和传感器信号调理电路中。

MMBT5551LT1G, BC847B, 2N3904