您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > BSS123-7

BSS123-7 发布时间 时间:2025/5/26 21:59:55 查看 阅读:13

BSS123-7是一种N沟道小信号MOSFET晶体管,广泛用于开关和放大应用。该器件具有低漏源导通电阻、高开关速度以及良好的电流处理能力,适合于各种便携式设备及电源管理电路。
  其封装形式通常为SOT-23,这种小型化封装使其非常适合空间受限的应用场景。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  最大漏极电流:0.2A
  漏源导通电阻:5欧姆
  功耗:320mW
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

BSS123-7具备以下主要特性:
  1. 高频响应能力,支持高速开关操作。
  2. 小型SOT-23封装,节省PCB布局空间。
  3. 良好的热稳定性和可靠性。
  4. 漏源导通电阻较低,能够有效降低功耗。
  5. 在轻负载条件下表现优异,适用于电池供电的低功耗系统。
  6. 支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。

应用

BSS123-7被广泛应用于各类电子领域:
  1. 开关模式电源中的同步整流器。
  2. 数据通信接口保护电路。
  3. 各种便携式设备中的负载开关。
  4. 数字电路中的电平转换。
  5. 电池管理系统的过流保护。
  6. 音频设备中的静音开关。

替代型号

BSS123, BSS84, BS170

BSS123-7推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

BSS123-7资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • BSS123-7
  • N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFF...
  • DIODES [...
  • 阅览

BSS123-7参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C170mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 欧姆 @ 170mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds60pF @ 25V
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSS123DITR