BSR41是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高效率、高功率密度的应用场景,具有较低的导通电阻(RDS(on))和较高的开关速度。BSR41适用于广泛的电源管理应用,包括DC-DC转换器、电源开关、负载开关、电池管理系统等。其高可靠性和良好的热性能使其在工业、汽车和消费类电子产品中得到广泛应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):60V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID):30A(在25°C)
导通电阻(RDS(on)):50mΩ(最大值,VGS=10V)
功耗(Ptot):160W
工作温度范围:-55°C至175°C
封装类型:TO-220、D2PAK
BSR41具有多个优异的电气和物理特性。首先,它的低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通状态下的功率损耗,提高整体效率。其次,该器件具有较高的额定电流能力,可在高负载条件下稳定工作。BSR41的栅极电荷(Qg)较低,有助于实现快速开关操作,减少开关损耗。
此外,BSR41采用了先进的功率MOSFET制造工艺,具有良好的热稳定性和较高的耐用性。其封装形式(如TO-220和D2PAK)提供了良好的散热性能,适用于高功率密度设计。该器件还具备较强的抗雪崩能力,可在瞬态过压条件下提供一定的保护功能。
在可靠性方面,BSR41通过了严格的工业标准测试,适用于各种严苛的工作环境。它具有较高的抗静电(ESD)能力和良好的长期稳定性,确保在复杂电路中的可靠运行。
BSR41广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电源开关、电机控制电路、电池管理系统(BMS)以及负载开关电路。在工业自动化设备中,BSR41可用于驱动高功率负载,如加热元件、电磁阀和电动机。
在汽车电子领域,BSR41可用于车载充电系统、车身控制模块、电动助力转向系统等需要高效功率开关的场合。其高可靠性和良好的热性能使其在高温环境下也能稳定运行。
此外,BSR41也适用于消费类电子产品,如高性能电源适配器、智能电源插座、LED照明驱动器等。由于其低导通电阻和高效率的特点,能够有效延长电池续航时间并减少发热。
IRFZ44N, FDP6030L, STB45N60M2, BSC050N06LS