时间：2025/7/8 10:42:17
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BSP373是一款N沟道增强型功率MOSFET，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于各类电源管理电路、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
其封装形式通常为TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：16A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
输入电容：1180pF
总栅极电荷：19nC
开关时间：开启延迟时间：11ns，上升时间：9ns；关断延迟时间：34ns，下降时间：22ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关应用。
3. 具备出色的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
4. 小型化封装，便于PCB布局和安装。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 内置雪崩击穿保护功能，增强了器件的鲁棒性。
BSP373广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率因数校正（PFC）。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流管。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级开关。
5. 汽车电子系统中的各种控制开关。
6. 工业自动化设备中的电源管理和信号切换模块。
BSP296, IRFZ44N, FDP15U20AE
