HSMS-286C-TR2G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款射频(RF)肖特基二极管,广泛用于无线通信、检测电路、混频器、调制解调器等高频电子系统中。这款二极管采用SOD-323表面贴装封装,适用于需要高性能和高稳定性的射频应用。
型号:HSMS-286C-TR2G
类型:射频肖特基二极管
封装形式:SOD-323
最大反向电压:5 V
正向电流(最大):10 mA
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-65°C ~ 150°C
RF频率范围:最高可达10 GHz
HSMS-286C-TR2G是一款高性能的射频肖特基二极管,具有极低的电容和快速的开关特性,非常适合用于高频电路。该二极管的SOD-323封装形式使其适用于表面贴装技术,便于自动化生产和紧凑型设计。
其低正向压降和低反向漏电流特性提高了电路的整体效率,同时其高频响应能力使其在10 GHz以下的射频应用中表现优异。此外,HSMS-286C-TR2G具有良好的温度稳定性和高可靠性,能够在严苛的环境条件下稳定工作。
该器件还具备出色的匹配性能,适合用于混频器、检波器和调制解调器等电路。其低失真特性也有助于提升通信系统的信号质量。
HSMS-286C-TR2G广泛应用于无线通信设备、射频识别(RFID)系统、测试测量仪器、低噪声放大器(LNA)控制电路、功率检测电路以及微波通信设备。由于其高频性能和低功耗特性,也常用于便携式电子设备和工业控制系统中的射频前端模块。
HSMS-285C-TR2G, HSMS-282C-TR2G, BB112