您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HSMS-286C-TR2G

HSMS-286C-TR2G 发布时间 时间:2025/9/15 22:04:43 查看 阅读:5

HSMS-286C-TR2G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款射频(RF)肖特基二极管,广泛用于无线通信、检测电路、混频器、调制解调器等高频电子系统中。这款二极管采用SOD-323表面贴装封装,适用于需要高性能和高稳定性的射频应用。

参数

型号:HSMS-286C-TR2G
  类型:射频肖特基二极管
  封装形式:SOD-323
  最大反向电压:5 V
  正向电流(最大):10 mA
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  存储温度范围:-65°C ~ 150°C
  RF频率范围:最高可达10 GHz

特性

HSMS-286C-TR2G是一款高性能的射频肖特基二极管,具有极低的电容和快速的开关特性,非常适合用于高频电路。该二极管的SOD-323封装形式使其适用于表面贴装技术,便于自动化生产和紧凑型设计。
  其低正向压降和低反向漏电流特性提高了电路的整体效率,同时其高频响应能力使其在10 GHz以下的射频应用中表现优异。此外,HSMS-286C-TR2G具有良好的温度稳定性和高可靠性,能够在严苛的环境条件下稳定工作。
  该器件还具备出色的匹配性能,适合用于混频器、检波器和调制解调器等电路。其低失真特性也有助于提升通信系统的信号质量。

应用

HSMS-286C-TR2G广泛应用于无线通信设备、射频识别(RFID)系统、测试测量仪器、低噪声放大器(LNA)控制电路、功率检测电路以及微波通信设备。由于其高频性能和低功耗特性,也常用于便携式电子设备和工业控制系统中的射频前端模块。

替代型号

HSMS-285C-TR2G, HSMS-282C-TR2G, BB112

HSMS-286C-TR2G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

HSMS-286C-TR2G产品

HSMS-286C-TR2G参数

  • 数据列表HSMS-286x Series
  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大)4V
  • 电流 - 最大-
  • 电容@ Vr, F0.25pF @ 0V,1MHz
  • 电阻@ Vr, F-
  • 功率耗散(最大)-
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SOT-323
  • 包装带卷 (TR)