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IXFA76N15T2-TRL 发布时间 时间:2025/8/5 16:15:54 查看 阅读:39

IXFA76N15T2-TRL是一款由IXYS公司制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率和高频开关应用。该器件采用先进的技术制造,具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能。这款MOSFET通常用于电源转换器、电机驱动器、逆变器和各种工业控制设备中,以提供高效的电能管理和开关功能。

参数

类型:功率MOSFET
  最大漏极电流:76A
  漏极-源极击穿电压:150V
  导通电阻(Rds(on)):最大值20mΩ
  封装类型:TO-263(D2PAK)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  栅极阈值电压:约2.5V至4.5V
  功耗:220W

特性

IXFA76N15T2-TRL具有多个关键特性,使其适用于高功率应用。其低导通电阻可以降低导通损耗,提高能效。该器件的高电流承载能力允许在紧凑的设计中实现大功率输出。此外,其坚固的封装设计提供了良好的散热性能,确保器件在高负载条件下稳定运行。此MOSFET还具有快速开关特性,适用于高频开关应用,从而减小外部滤波元件的尺寸并提高系统效率。其宽工作温度范围使其能够在极端环境条件下正常工作,适用于工业和汽车应用。

应用

IXFA76N15T2-TRL广泛应用于多个领域,包括但不限于:电源转换器(如DC-DC转换器和AC-DC电源)、电机驱动器、逆变器(如太阳能逆变器和UPS系统)、电池管理系统、工业自动化设备和电动汽车充电系统。在这些应用中,该MOSFET可提供高效的电能管理和可靠的开关性能。

替代型号

IRF76N15D2-TRL,Si76N15T2-BE3-H,IPB76N15N3G1

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IXFA76N15T2-TRL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格800 : ¥30.53459卷带(TR)
  • 系列HiPerFET?, TrenchT2?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)150 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)76A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)22 毫欧 @ 38A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)97 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5800 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)350W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263(D2Pak)
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB