时间：2025/6/28 11:12:12
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BSO613SPV是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。该器件采用SOT-23封装，适合于空间受限的设计环境。由于其出色的电气特性和紧凑的外形，BSO613SPV常被用于便携式电子设备、电源管理模块以及信号切换电路中。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：-0.45A
导通电阻：0.8Ω
栅极电荷：3nC
开关速度：典型值10ns
工作结温范围：-55℃至150℃
BSO613SPV具备高效率、快速开关能力以及良好的热稳定性。
1. 超低导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。
2. 小型SOT-23封装使其非常适用于移动设备和其他小型化应用。
3. 宽泛的工作温度范围确保了在各种环境条件下的可靠性。
4. 快速的开关特性能够满足高频电路的需求。
5. 栅极阈值电压设计合理，便于与逻辑电平兼容的驱动器配合使用。
该MOSFET可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 电机驱动电路。
4. 各类便携式电子产品中的电源管理。
5. 信号切换和保护电路。
6. 消费类电子产品中的过流保护功能。
BSS138
2SK3621
FDN340P
