类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：300V
　　最大漏极电流（Id）：30A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.15Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：80nC
　　最大功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

T30UX的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。在高功率应用中，如开关电源和DC-DC转换器，这一特性尤为重要，因为它可以减少发热并提高整体能效。
　　该器件的最大漏源电压为300V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电路设计。其最大漏极电流为30A，表明它具有较强的电流承载能力，适合用于高电流负载的开关控制。
　　T30UX采用TO-247封装，具有良好的散热性能，能够在较高功率下稳定运行。这种封装形式也便于安装在散热片上，以进一步提升热管理能力。
　　此外，T30UX具有较高的栅极电荷（Qg）值，约为80nC，这会影响其开关速度。在高频开关应用中，设计者需要权衡开关损耗和导通损耗，以确保最佳性能。虽然较高的Qg会增加驱动电路的负担，但它也有助于减少开关过程中的电压尖峰，提高系统的稳定性。
　　该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，表明其具有良好的温度适应性，适用于各种工业环境。

T30UX广泛应用于各类高功率电子设备中。在开关电源（SMPS）中，它常用于主开关电路，负责将输入的直流电压转换为高频脉冲，再通过变压器和整流电路输出稳定的直流电压。由于其高耐压和低导通电阻的特性，T30UX在电源转换过程中表现出色，能够有效提高能效。
　　在DC-DC转换器中，T30UX可作为功率开关元件，用于升压（Boost）或降压（Buck）电路。其低Rds(on)特性有助于减少导通损耗，提高转换效率，特别是在高电流输出的情况下表现尤为突出。
　　电机控制领域也是T30UX的重要应用之一。在无刷直流电机（BLDC）驱动器或H桥电机控制电路中，T30UX可用于控制电机的启停和转速调节。其高电流承载能力和良好的热管理性能使其能够在恶劣的工业环境中可靠运行。
　　此外，T30UX还可用于逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制电路。

IXFH30N30P, IRFP460, FDPF30N30