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BSO104N03S 发布时间 时间:2025/12/23 11:09:26 查看 阅读:27

BSO104N03S 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的硅工艺制造,适用于各种高效能开关应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力,广泛应用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理以及其他需要高性能开关的场景。
  这款 MOSFET 的封装形式通常为 SOT-223 或 DPAK(视具体制造商而定),具备出色的散热性能,能够满足紧凑型设计需求。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:67A
  导通电阻:1.5mΩ(典型值)
  栅极电荷:28nC(典型值)
  输入电容:2190pF(典型值)
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:SOT-223/DPAK

特性

BSO104N03S 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关性能,可实现高频操作以减小磁性元件尺寸。
  3. 高雪崩能量能力,增强了在异常条件下的鲁棒性。
  4. 紧凑型封装,便于 PCB 布局和散热管理。
  5. 宽泛的工作温度范围,适应多种环境条件。

应用

该 MOSFET 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的负载开关。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. 通信电源和汽车电子系统的功率转换模块。

替代型号

IRF3710, STP10NK50Z, BUK7Y1R8-30E

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BSO104N03S参数

  • 制造商Infineon
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流10 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)9.7 mOhms
  • 配置Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DSO-8
  • 封装Reel
  • 下降时间4.2 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1560 mW
  • 上升时间4.2 ns
  • 工厂包装数量2500
  • 典型关闭延迟时间21 ns
  • 零件号别名BSO104N03SXT