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IRFR9020TRPBF 发布时间 时间:2025/5/27 16:31:22 查看 阅读:8

IRFR9020TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道功率MOSFET,采用TO-263封装形式。该器件适用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计。其主要用途包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用领域。
  这款MOSFET具有较低的导通电阻,有助于减少功耗并提高整体效率。同时,它还具备快速开关速度和良好的热性能,非常适合高功率密度的应用场景。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻:18mΩ
  总栅极电荷:16nC
  开关时间:ton=8ns, toff=18ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

IRFR9020TRPBF 提供了出色的电气性能和可靠性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流条件下保持高效运行。
  2. 快速的开关速度有效降低了开关损耗。
  3. TO-263封装具有良好的散热性能,便于在紧凑型设计中使用。
  4. 高耐压能力,支持高达55V的工作电压,确保在多种应用场景下的稳定性。
  5. 良好的动态性能和抗干扰能力,适合于高频开关应用环境。

应用

IRFR9020TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的功率转换模块。
  2. 各种类型的DC-DC转换器,如降压或升压拓扑结构。
  3. 电动工具及小型家电中的电机驱动电路。
  4. 工业控制设备中的负载切换和保护电路。
  5. 通信电源系统中的高效能功率管理单元。
  其高性能和高可靠性使其成为许多高要求应用的理想选择。

替代型号

IRFZ44N
  STP17NF55
  FDP5800

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IRFR9020TRPBF参数

  • 数据列表IRFR9020(22), IRFU9020(22)
  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)50V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C280 毫欧 @ 5.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds490pF @ 25V
  • 功率 - 最大42W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR9020PBFTR