20N20 时间：2025/12/29 13:52:29 阅读：15

20N20 是一款常用的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、功率转换、电机控制、开关电源等领域。其命名中的“20N”表示其最大漏极电流为20A，“20”则表示其最大漏源击穿电压为200V。该器件具有低导通电阻、高耐压、高频响应快等特点，适用于中高功率的开关应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：200V
　　最大漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值0.18Ω（不同Vgs下可能略有差异）
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　最大功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-3P等

特性

20N20 MOSFET具备多项优良特性，适合多种功率电子应用。首先，其200V的漏源电压耐受能力使其适用于高电压工作环境，如开关电源、逆变器和马达驱动系统。其次，最大漏极电流为20A，能够支持较大的负载能力，适用于中高功率的开关控制。此外，该器件的导通电阻较低，通常在0.18Ω左右，有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。栅极电压范围为±20V，具有良好的栅极绝缘保护能力，避免因过压损坏器件。20N20的封装形式多为TO-220或TO-3P，便于散热和安装，适用于需要良好热管理的电路设计。同时，其最大功耗为150W，表明其在较高功率条件下仍能保持稳定运行。工作温度范围宽达-55℃至+150℃，使其适用于各种恶劣的工业环境。
　　在高频应用中，20N20的开关速度较快，能有效降低开关损耗，提高电源转换效率。此外，由于其MOSFET结构的特性，输入阻抗高，驱动功率小，便于与各种驱动电路配合使用。这些特性使得20N20在电源转换器、DC-DC变换器、负载开关、电池管理系统等领域中具有广泛的应用前景。

应用

20N20 MOSFET广泛应用于各类功率电子设备中。常见的应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、DC-DC转换器、电机驱动电路、电源管理系统、电池充放电控制电路、LED驱动电源、工业自动化控制电路等。在开关电源中，20N20作为主开关器件，用于实现高效的能量转换；在逆变器系统中，它可用于将直流电转换为交流电，适用于UPS、太阳能逆变系统等；在电机驱动电路中，20N20可作为H桥结构中的开关元件，实现对电机的正反转和调速控制；在电池管理系统中，该器件可用于控制电池的充放电过程，提高系统的安全性和稳定性。此外，20N20也可用于各类功率负载的开关控制，如加热器、LED灯组、继电器替代等应用。