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MBR2060CT-E1 发布时间 时间:2025/12/26 10:09:13 查看 阅读:9

MBR2060CT-E1是一款由ON Semiconductor生产的双肖特基势垒整流二极管,专为高效率、高电流密度的电源应用设计。该器件采用TO-220AC封装,具有低正向电压降和快速开关特性,非常适合用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器以及反向电池保护等场合。其双共阴极结构允许在全波整流或并联使用中实现更高的输出电流能力,同时保持较低的导通损耗。MBR2060CT-E1广泛应用于工业电源、电信设备、计算机主板及外围电源系统中,能够在高温环境下稳定工作,表现出良好的热稳定性和可靠性。
  该器件的设计优化了热阻性能,使得即使在高负载条件下也能有效散热,延长使用寿命。此外,它符合RoHS环保标准,属于无铅(Pb-free)器件,适用于对环境要求较高的电子产品制造流程。MBR2060CT-E1的最大重复峰值反向电压为60V,额定平均整流电流可达20A,在同类产品中具备较强的竞争力。由于其出色的电气性能和坚固的封装形式,常被用作高频整流环节中的核心元件。

参数

型号:MBR2060CT-E1
  类型:双肖特基势垒整流二极管
  封装:TO-220AC
  最大重复峰值反向电压(VRRM):60V
  最大直流阻断电压(VR):60V
  最大均方根电压(VRMS):42V
  最大平均整流电流(IO):20A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):150A
  最大正向电压降(VF):790mV @ 20A, 110°C
  最大反向漏电流(IR):2.0mA @ 60V, 125°C
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  热阻(RθJC):1.0°C/W
  引脚数:3
  安装方式:通孔安装

特性

MBR2060CT-E1的核心优势在于其低正向电压降与高电流处理能力的结合,这使其在高效率电源转换应用中表现卓越。其典型正向压降仅为790mV,在20A的大电流下仍能保持较低的导通损耗,显著提升系统整体效率,减少发热问题。这一特性尤其适用于大功率DC-DC转换器和嵌入式电源模块,有助于缩小散热器尺寸并提高功率密度。该器件采用双共阴极配置,两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极连接,便于构建中心抽头变压器的全波整流电路,简化PCB布局并提升电磁兼容性。
  另一个关键特性是其优异的热性能。得益于TO-220AC封装的低热阻设计(仅1.0°C/W),热量可以从芯片结高效传导至外部散热器,从而在持续高负载运行时维持较低的工作温度。这种热稳定性确保了长期工作的可靠性,避免因过热导致的性能衰减或失效。同时,器件支持高达150A的非重复浪涌电流,能够承受启动瞬间或异常情况下的电流冲击,增强了系统的鲁棒性。
  MBR2060CT-E1还具备快速开关响应能力,由于肖特基二极管本身为多数载流子器件,不存在少子存储效应,因此反向恢复时间几乎可以忽略不计。这一特点极大减少了开关过程中的能量损耗和电压振铃现象,特别适合高频开关电源应用。此外,其宽泛的工作结温范围(-65°C至+175°C)使其能在极端温度环境中可靠运行,适用于工业级甚至部分汽车电子场景。
  该器件符合国际环保标准,采用无铅封装工艺,满足RoHS指令要求,适合现代绿色电子产品制造需求。其通孔安装方式便于手工焊接和维修,也适用于自动化生产线,具有良好的可制造性。总体而言,MBR2060CT-E1是一款集高性能、高可靠性和环保特性于一体的先进功率二极管解决方案。

应用

MBR2060CT-E1广泛应用于各类需要高效整流功能的电力电子系统中。最常见的用途是在开关电源(SMPS)中作为次级侧整流器,特别是在笔记本电脑适配器、服务器电源和通信电源模块中,利用其低正向压降来提高转换效率并降低温升。它也被大量用于直流-直流转换器,尤其是那些基于同步整流架构但需备用或辅助整流路径的设计中,提供稳定的电流输出能力。
  在工业控制系统中,该器件可用于电机驱动器的续流二极管、逆变器中的钳位保护电路以及UPS不间断电源的整流单元。由于其高浪涌电流承受能力和良好的热稳定性,即使在恶劣工况下也能保持稳定运行。此外,在电信基础设施如基站电源和光网络设备中,MBR2060CT-E1常用于隔离式电源拓扑结构中,保障关键电路的供电质量。
  在计算机主板和显卡供电系统中,该二极管可用于CPU核心电压调节模块(VRM)的辅助整流或冗余设计,确保多相供电结构的平稳切换与能量回馈。同时,它也可用于电池管理系统中的反接保护电路,防止因电池极性接反而损坏主控电路。在太阳能充电控制器、LED驱动电源等新能源与照明应用中,MBR2060CT-E1同样发挥着重要作用,提供高效的能量传递路径。
  由于其工作频率响应快、反向恢复损耗极低,该器件特别适合高频PWM控制下的整流任务,能够在数十kHz至数百kHz范围内高效运行。综上所述,MBR2060CT-E1凭借其综合性能优势,已成为多种中高功率电源拓扑中不可或缺的关键元器件之一。

替代型号

SR2060CT
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MBR2060CT-E1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)60 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)810 mV @ 10 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 μA @ 60 V
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商器件封装TO-220-3