时间：2025/8/2 9:08:14
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BSN20BKR是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效能和高可靠性应用设计。该器件采用了先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和优异的热稳定性，适用于各种电源管理、负载开关和功率控制场景。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：200V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：120A（在25°C下）
功耗（Ptot）：250W
导通电阻（Rds(on)）：最大值0.022Ω
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
BSN20BKR具有多个关键特性，使其成为高性能功率应用的理想选择。
首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下能够保持较低的功率损耗，从而提高整体效率并减少散热需求。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式技术，使器件在高温环境下依然能够保持稳定运行。
其次，BSN20BKR的高耐压能力（200V）使其能够在高压电路中可靠工作，适用于如电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化设备等应用领域。
此外，该器件的封装形式为TO-247，这种封装方式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热器上，以应对高功率应用场景下的热管理需求。TO-247封装也广泛用于工业级电源设计中，具有较高的通用性和兼容性。
最后，BSN20BKR的栅极驱动电压范围为±20V，允许使用标准的栅极驱动电路进行控制，简化了电路设计和集成过程。同时，该器件具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，增强了系统的稳定性和可靠性。
BSN20BKR广泛应用于多种高功率电子系统中，包括但不限于：电力电子变换器（如DC-DC转换器、AC-DC电源模块）、电机驱动器、工业自动化控制系统、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。其优异的导通特性和高耐压能力使其成为高性能功率开关的理想选择。
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"IRF1405",
"STP120N8F7",
"SiHF640"
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