BSM300GA120DN11S是一款高性能的功率模块,由英飞凌(Infineon)公司生产,主要用于高功率应用,如工业电机驱动、可再生能源系统和电动汽车等领域。该模块基于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)技术,结合了高效率、高可靠性和紧凑的封装设计。BSM300GA120DN11S采用了先进的芯片封装技术,确保了在高电流和高电压条件下稳定运行。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(Vce):1200V
额定集电极电流(Ic):300A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:双列直插式(Dual)
芯片技术:IGBT4
导通压降:约1.5V(典型值)
短路耐受能力:10μs
热阻(Rth):0.23K/W(典型值)
工作频率范围:1kHz 至 20kHz
BSM300GA120DN11S具备多项先进特性,首先其采用了英飞凌第四代IGBT芯片技术,提供了卓越的导通和开关性能,降低了导通损耗和开关损耗。其次,该模块内部集成了二极管,提高了系统的可靠性和效率。模块的封装设计优化了散热性能,使得在高功率密度应用中能够保持良好的热稳定性。此外,BSM300GA120DN11S具有良好的短路耐受能力,能够在瞬态过载情况下保持稳定运行,提高了系统的安全性。模块还具备较高的绝缘等级,适用于各种高要求的工业环境。最后,该模块的设计考虑了电磁干扰(EMI)控制,减少了对外部电路的干扰,提升了系统的整体性能。
BSM300GA120DN11S广泛应用于多种高功率电子系统中,包括工业电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)、风力发电变流器、电动汽车充电系统以及轨道交通设备。其高电流容量和优异的热管理能力使其成为高功率密度设计的理想选择。
BSM300GA120DN22S, BSM300GB120DN11S