时间：2025/9/14 5:50:29
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PMPB50ENEX是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和高电流容量等优点，适用于如DC-DC转换器、电池充电管理、电源开关以及负载管理等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
连续漏极电流（ID）：16A
导通电阻（RDS(on)）：0.27Ω @ VGS=10V
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220
功率耗散（PD）：125W
PMPB50ENEX具备一系列优良的电气和物理特性，使其在功率电子设计中表现出色。首先，该MOSFET的低导通电阻降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统效率。其次，其较高的漏源电压额定值（500V）使其适用于中高压应用，如AC-DC电源、工业电机控制和照明系统。此外，PMPB50ENEX具有较高的电流承载能力，支持16A的连续漏极电流，能够在高负载条件下稳定工作。
在封装方面，PMPB50ENEX采用标准的TO-220封装形式，便于安装和散热，同时也兼容大多数常见的PCB布局设计。该器件还具备良好的热稳定性和抗冲击能力，能够在恶劣的环境条件下正常运行。其栅极电压范围为±20V，支持广泛使用的驱动电路设计，兼容多种控制IC和微控制器。
另外，PMPB50ENEX内部结构优化，具有较低的开关损耗，适用于高频开关应用。同时，其快速恢复特性减少了能量损耗，提升了整体系统性能。这些特点使其在电源管理、电动工具、工业自动化以及家用电器等领域具有广泛的应用前景。
PMPB50ENEX适用于多种功率电子设备和系统，包括但不限于：AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统、LED照明驱动器、工业自动化控制设备、电动车辆充电系统以及智能家电中的电源管理模块。该器件的高耐压和低导通电阻特性使其成为高效能和高可靠性设计的理想选择。
STP16NF50, IRFZ44N, FDPF5N50
