类型：双N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：4.0A
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ @ Vgs=10V，11mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散：2.5W
　　工作温度：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：8引脚SOIC

FDG8842CZ IC 具有多种优异特性，使其在功率开关应用中表现出色。首先，其双N沟道MOSFET结构可以提供更高的集成度和更小的PCB占用空间，适用于紧凑型设计。其次，该器件采用了先进的Trench沟槽技术，使导通电阻（Rds(on)）非常低，在Vgs=10V时为22mΩ，在Vgs=4.5V时更是降低至11mΩ，从而减少了导通损耗并提高了系统效率。此外，该MOSFET支持高达4.0A的连续漏极电流，适用于中等功率的开关应用。
　　FDG8842CZ IC 的栅源电压范围为±20V，使其在多种控制电路中具有良好的兼容性。其漏源电压为30V，适用于常见的电源管理系统，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。该器件的封装形式为8引脚SOIC，具有良好的热性能和焊接可靠性，适用于自动化生产和表面贴装技术（SMT）。
　　该IC的工作温度范围为-55°C至150°C，表明其在极端温度环境下依然能保持稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用。此外，其最大功率耗散为2.5W，进一步确保了在高负载条件下的稳定性和可靠性。

FDG8842CZ IC 主要用于需要高效低导通电阻的功率开关系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动电路以及便携式电子设备的电源管理模块。此外，它在汽车电子、工业控制以及消费类电子产品中也有广泛应用。

Si8414DB, NDS8855, FDG8845CZ