时间：2025/7/14 17:27:40
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BSL806N是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET，主要用于高效能的功率开关应用。该器件采用TOLL封装形式，具有较低的导通电阻和优秀的热性能，适用于需要高效率和高可靠性的电路设计。其电压等级为650V，能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
BSL806N在开关电源、电机驱动、逆变器以及LED照明等领域有着广泛的应用场景。由于其出色的电气特性和稳定性，这款MOSFET特别适合用作高频开关元件，有助于提升整体系统的转换效率并减少能量损耗。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：13A
导通电阻（Rds(on)）：90mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：74nC（典型值）
反向恢复时间：45ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TOLL
BSL806N具备低导通电阻的特点，可以显著降低传导损耗，从而提高系统效率。此外，该器件还拥有快速的开关速度和较低的栅极电荷，这使其非常适合高频操作环境，同时减少了开关损耗。
TOLL封装提供了卓越的散热性能，使得BSL806N能够在高功率密度应用中保持良好的温度稳定性。另外，它的高雪崩能力增强了器件在异常情况下的耐用性。
BSL806N符合RoHS标准，并且经过了严格的可靠性测试，确保其在各种复杂工况下均能稳定运行。
BSL806N常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机控制以及其他要求高效能功率管理的场合。在这些应用中，它能够有效处理大电流并维持低功耗，因此是许多工程师设计高效率电力电子设备的理想选择。
此外，该器件也适用于电磁炉、电动工具和家用电器等产品中的功率调节与驱动部分。
BSZ075N06BSE
IPW60R090C6
FDP077N06A
