时间：2025/9/14 19:54:07
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BSH299是一款由英飞凌（Infineon）推出的N沟道增强型功率MOSFET，适用于各种高效率开关应用。该器件采用先进的技术制造，具备优异的导通电阻和开关性能，广泛用于汽车电子、工业控制、电源管理等领域。BSH299采用TSOP封装形式，便于在高密度PCB设计中使用，并具备良好的热性能和电气稳定性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：12V
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω @ VGS=4.5V
导通阈值电压（VGS(th)）：0.5V ~ 1.5V
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSOP
BSH299具有多个关键特性，适用于多种应用场景。首先，其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的低导通阈值电压使其适用于低电压控制电路，与多种逻辑电平兼容。BSH299具备较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。此外，该MOSFET具有快速开关能力，适用于高频开关应用，有助于减小外围电路的体积并提高响应速度。其TSOP封装设计有助于节省PCB空间，适用于紧凑型电子产品设计。整体来看，BSH299是一款高可靠性和高稳定性的功率MOSFET，适用于广泛的电子系统。
BSH299广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：在汽车电子中，用于车载电源管理、LED驱动、继电器控制等电路；在工业控制系统中，作为负载开关或信号控制元件；在消费类电子产品中，如便携式设备、智能家电和电池管理系统中，实现高效的电源管理功能；此外，还可用于电机控制、DC/DC转换器、LED照明驱动等应用。
BSH203, BSH205, 2N7002, PMV48XP
