时间：2025/8/2 9:00:45
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DMP2160UW-7是一款由Diodes Incorporated生产的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和负载开关等应用。该器件采用小型SOT-26封装，适合空间受限的便携式电子产品和高密度电路设计。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：-20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：-600mA @ -10V VGS
导通电阻(RDS(ON))：350mΩ @ -4.5V VGS，420mΩ @ -2.5V VGS，580mΩ @ -1.5V VGS
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-26
DMP2160UW-7具备低导通电阻特性，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其P沟道设计适用于高边开关应用，如电池供电设备中的负载开关或电源分配系统。此外，该MOSFET具有快速开关能力，能够支持高频操作，从而减小外部滤波元件的尺寸。其栅极驱动电压范围宽，支持-1.5V至-10V的VGS操作，提高了设计灵活性。器件的SOT-26封装确保了小尺寸和良好的热性能，适合高密度PCB布局。
DMP2160UW-7还具备高可靠性，符合AEC-Q101汽车电子标准，适用于对稳定性和耐用性要求较高的应用场景。该器件的低栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，提高整体能效。同时，其内置的静电放电（ESD）保护功能可提高器件在生产、运输和使用过程中的抗静电能力。
该MOSFET广泛应用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、穿戴设备）、电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及汽车电子系统中。此外，DMP2160UW-7也适用于需要高效率和小尺寸设计的工业控制设备和消费类电子产品。
AO4403, Si4435BDY, FDN340P, TPS27081A-Q1
