时间：2025/9/15 0:45:23
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BSH202,215 是一款由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的双极型高频晶体管（NPN型），专为低噪声、高频率应用而设计。该器件常用于射频（RF）和中间频率（IF）放大器电路中，适用于无线通信、广播接收和测试设备等应用场景。BSH202,215 采用小型SOT23封装，具有良好的高频性能和可靠性，是许多高频电子电路中的理想选择。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：15V
最大集电极-基极电压（Vcb）：20V
最大功耗（Ptot）：300mW
最大工作频率（fT）：800MHz
电流增益带宽（fT）：800MHz
噪声系数（NF）：0.5dB（典型值）
电流增益（hFE）：60至600（根据工作条件）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT23
BSH202,215 是一款专为高频低噪声应用而设计的晶体管，其在射频和中间频率放大器电路中表现出色。该器件具有高达800MHz的过渡频率（fT），能够在高频环境下提供良好的增益性能。其噪声系数低至0.5dB，使得该晶体管在接收器前端放大器中具有出色的信号处理能力，有助于提升系统的整体信噪比。
该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从60到600，这使其能够适应不同的偏置条件和电路设计需求。此外，BSH202,215 的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为15V，具备一定的功率处理能力，适合中等功率的放大应用。
采用SOT23封装，BSH202,215 具有紧凑的尺寸，便于在高密度PCB设计中使用，同时也具备良好的热稳定性和机械强度。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业和汽车等严苛环境中的应用。
整体而言，BSH202,215 是一款性能稳定、适用于高频低噪声放大场景的晶体管，广泛用于无线通信、广播接收器、测试仪器和其他高频电子系统中。
BSH202,215 主要应用于需要低噪声和高频率性能的电子电路中。它广泛用于射频前端放大器、中间频率放大器、无线通信系统的低噪声放大器（LNA）模块、广播接收器和测试测量设备。此外，该晶体管也适用于需要高增益和高稳定性的放大电路，如VHF和UHF频段的信号增强器、频率合成器以及各类射频识别（RFID）系统。由于其良好的高频响应和低噪声特性，BSH202,215 在汽车电子、工业自动化和消费类电子产品中也有广泛的应用。
BFQ67W, BFR181W, BFP193
