时间：2025/5/23 12:14:14
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GMC04CG180F25NT是一款由知名半导体厂商生产的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号属于沟槽型MOSFET系列，主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等领域。其出色的导通电阻和低开关损耗特性使其在高效率电力电子应用中表现优异。
该器件采用了先进的工艺技术，能够提供较低的导通电阻以减少功率损耗，同时具备较高的雪崩能力和耐用性，确保了在恶劣工作条件下的稳定性。
最大漏源电压：180V
最大连续漏极电流：25A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：75nC
开关时间：ton=35ns, toff=20ns
结温范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在瞬态条件下的可靠性。
3. 较小的栅极电荷(Qg)，有助于实现快速开关操作，从而降低开关损耗。
4. 超薄封装设计，有利于提升PCB布局灵活性并节省空间。
5. 具备出色的热性能，能够有效管理芯片温度，延长使用寿命。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，满足国际法规要求。
GMC04CG180F25NT广泛适用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中作为高端或低端开关使用。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制电路。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
5. 工业自动化设备中的功率调节与分配模块。
GMC04CG180F25NTR, IRFZ44N, FDP18N18S
