NVR4003N 时间：2025/8/1 18:11:11 阅读：19

NVR4003N 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流容量和良好的热稳定性，适用于多种功率开关应用。NVR4003N 通常用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器、电池管理系统和电机控制等场景。该器件采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适合中高功率应用的设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：120A（Tc=25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：最大 2.7mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻温度系数：正温度系数
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220
　　功耗(Pd)：160W
　　栅极电荷(Qg)：95nC（典型值）
　　输入电容(Ciss)：2900pF（典型值）

特性

NVR4003N 的主要特性包括极低的导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性。其导通电阻随温度上升而增加，有助于在高温下实现更安全的工作状态，防止热失控。该器件的高栅极电荷特性适合用于开关频率较低但需要高效率的功率应用。TO-220 封装提供了良好的散热能力，确保在高负载条件下也能稳定运行。NVR4003N 还具备高雪崩能量耐受能力，适合用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统中。
　　NVR4003N 的栅极驱动要求较低，能够与常见的驱动电路兼容，简化了设计复杂度。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。在电池管理系统和电源转换应用中，该器件能够提供高效的能量传输，并具备良好的短路和过热保护能力。
　　由于其高耐用性和稳定的电气性能，NVR4003N 也常用于高可靠性要求的汽车电子系统，如电动助力转向系统、车载充电器和电池保护电路。其封装设计也支持自动插件和焊接工艺，适用于大规模生产环境。