时间：2025/5/26 21:59:07
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BSD840N是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频开关应用。它采用SOT-23封装形式，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
该器件在便携式设备、消费电子、电源管理以及信号切换等场景中表现出色，能够有效降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻：0.7Ω
栅极电荷：1.5nC
总电容：15pF
工作温度范围：-55℃至150℃
BSD840N的主要特性包括：
1. 超低导通电阻设计，有助于减少导通损耗。
2. 高速开关性能，适合高频电路应用。
3. 小型SOT-23封装，节省PCB空间。
4. 宽广的工作温度范围，适应各种环境条件。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅材料制造。
此款MOSFET广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 消费类电子产品如手机、平板电脑及笔记本电脑的负载开关。
4. 电池保护电路。
5. 各种需要小尺寸、高效能解决方案的场合。
AO3400
IRLML6402
FDMT6702
