时间：2025/5/7 16:57:39
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BSC097N06NS 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种高效能开关应用。其封装形式为 SOT-223，有助于提高电路板空间利用率。
该 MOSFET 的设计使其在汽车电子、工业控制、消费类电子产品等领域中表现出色。通过优化的芯片设计，BSC097N06NS 在高电流负载下仍能保持较低的功耗，从而提升系统的整体效率。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：14A
导通电阻（典型值）：9.7mΩ
栅极电荷：28nC
开关时间：ton=25ns, toff=32ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
BSC097N06NS 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在大电流应用中能够减少传导损耗，提高效率。
其快速的开关速度降低了开关损耗，在高频开关应用中表现优异。
由于采用了坚固的 SOT-223 封装，该器件可以承受较高的热应力，并且安装方便。
BSC097N06NS 还具备良好的抗静电能力（ESD），确保了器件在使用过程中的可靠性。
此外，该器件的工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。
BSC097N06NS 广泛应用于直流-直流转换器、电机驱动、开关电源、逆变器以及电池保护等场景。
在汽车电子领域，它可以用于电动车窗、雨刷、座椅调节等系统中。
工业控制方面，这款 MOSFET 可用于伺服电机控制、机器人驱动和其他需要高性能开关的应用。
在消费类电子产品中，BSC097N06NS 常被用来构建高效的电源管理系统。
BSC098N06NS
BSC110N06NS
