时间：2025/6/21 11:09:08
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SI4925DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的 TrenchFET? 第三代技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合在高频开关电路中使用。它通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及电池供电设备等应用。
型号：SI4925DY-T1-E3
封装：TO-263 (DPAK)
VDS（漏源电压）：30V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.8mΩ
ID（连续漏极电流）：42A
Qg（总栅极电荷）：13nC
fT（过渡频率）：7.1MHz
VGS(th)（栅极阈值电压）：1.2V~2.2V
工作温度范围：-55℃~175℃
SI4925DY-T1-E3 使用了 Vishay 的 TrenchFET? 技术，能够显著降低导通电阻，从而提高效率并减少功率损耗。
其超低的 RDS(on) 特性使其非常适合需要高电流密度的应用场景，例如负载开关和同步整流。
此外，这款 MOSFET 支持低至 1.8V 的栅极驱动电压，可以轻松与大多数现代逻辑 IC 配合使用。
该器件还具备良好的热稳定性和耐雪崩能力，确保在严苛环境下的可靠运行。
由于采用了 DPAK 封装，SI4925DY-T1-E3 具有出色的散热性能，同时节省 PCB 空间。
SI4925DY-T1-E3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
2. 降压/升压 DC-DC 转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池保护电路
5. 工业自动化设备中的负载切换
6. 消费类电子产品的电源管理模块
7. 可再生能源系统中的功率转换
8. 数据通信设备中的高效电源解决方案
SI4925DY, IRF4925ZPBF, AO4925
