时间：2025/4/29 18:07:49
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BSC084P03NS3 G 是一款由英飞凌（Infineon）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其封装形式为 TO-Leadless (TOLL)，有助于实现更小的 PCB 占用面积和更好的热性能。
这款 MOSFET 的最大特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），在典型工作条件下可以显著降低功耗，同时支持高达 40V 的漏源极电压，适合多种中低压应用场景。
最大漏源电压：40V
连续漏电流：84A
导通电阻：0.65mΩ（典型值，条件为 Vgs=10V）
栅极电荷：96nC（典型值）
输入电容：2380pF（典型值）
总功耗：175W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-Leadless (TOLL)
1. 极低的导通电阻，能够有效降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高电流承载能力，额定电流达到 84A，可满足大功率应用需求。
3. 快速开关特性，栅极电荷较低，有助于减少开关损耗。
4. 具备出色的热性能，得益于 TOLL 封装设计，散热效果更佳。
5. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠性高。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的高端或低端开关。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
4. 电动汽车及混合动力汽车中的辅助电路控制。
5. 各种工业自动化设备中的负载开关和功率管理模块。
6. 大电流保护电路和电池管理系统（BMS）。
BSC090P03NS3 G, BSC070P03NS3 G
