时间：2025/8/1 22:27:42
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CS5N50A4R是一款由ONSEMI（安森美半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及其他需要高效率功率控制的场合。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关特性，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。CS5N50A4R采用TO-252（DPAK）封装形式，适用于表面贴装工艺，便于在紧凑型设计中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：5A（Tc=25℃）
脉冲漏极电流（Idm）：20A
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
CS5N50A4R具备多项优异特性，适合多种功率应用需求。
首先，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)）值，典型值为1.2Ω，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高电源转换效率。同时，其高耐压特性支持500V的漏源电压（Vds），能够胜任高压开关电路的需求。
其次，CS5N50A4R采用了先进的平面工艺和高密度单元设计，使其在小封装中具备良好的电流承载能力。在25℃环境温度下，其连续漏极电流可达5A，并且支持高达20A的脉冲漏极电流，适用于需要瞬时高电流的应用场景。
此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V之间的驱动电压，使得其能够与多种栅极驱动电路兼容，包括常见的PWM控制器和驱动IC。同时，±30V的栅源电压容限提供了更强的抗过压能力，防止因栅极电压波动而造成的损坏。
TO-252（DPAK）封装形式不仅具备良好的热性能，有助于快速散热，还支持表面贴装技术（SMT），提高了PCB布局的灵活性和制造效率。该封装形式也使其在紧凑型电源设计中更具优势。
最后，CS5N50A4R具备优异的抗雪崩能力和高可靠性，能够在复杂电磁环境中稳定工作，适用于工业控制、电源适配器、LED照明驱动、DC-DC转换器等广泛应用。
CS5N50A4R主要应用于需要中高电压和中等电流的功率电子系统中。
在开关电源领域，CS5N50A4R常用于AC-DC转换器的主开关或同步整流电路，以提高系统效率并减少发热。其低导通电阻和高耐压特性使其非常适合用于反激式和正激式电源拓扑。
在DC-DC转换器中，该器件可用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Cuk）拓扑结构，特别是在高输入电压条件下，其500V的漏源电压能力提供了更高的设计裕量。
此外，CS5N50A4R也广泛用于电机驱动电路，如无刷直流电机控制器或H桥驱动器，其快速开关能力和高电流承载能力有助于提高驱动效率并减小系统尺寸。
其他应用包括LED照明驱动电源、工业自动化设备中的功率开关、电池充电器以及光伏逆变器等新能源相关设备。
STP5NK50Z, FQA5N50C, IRFBC40, 2SK2141
