时间：2025/7/16 11:53:06
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G690H263T26 是一款高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），主要应用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够有效提升电路效率并降低功耗。
作为一款N沟道增强型MOSFET，G690H263T26 可在高频应用中提供卓越的性能表现，并且其封装形式支持高效的散热管理。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
栅极电荷(Qg)：80nC
输入电容(Ciss)：4200pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
G690H263T26 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on) = 1.5mΩ），可显著降低传导损耗，提升整体系统效率。
2. 高额定电流（Id = 120A）和电压（Vds = 60V），适用于大功率应用环境。
3. 快速开关能力，能够适应高频工作需求，减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 支持表面贴装或通孔安装的 TO-247 封装，便于集成到各种设计中。
6. 出色的电气特性和耐用性，使其成为工业级和消费级电子产品的理想选择。
G690H263T26 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 电机驱动和控制电路中的功率输出级。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 电动车和混合动力汽车中的逆变器和驱动电路。
7. 其他需要高效率、高功率密度解决方案的应用场景。
IRFP260N
STP120N06L
FDP120N06S
IXTH120N06L
