BSC067N06LS3G是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于OptiMOS系列,采用超薄封装设计,具有低导通电阻和高开关效率的特点。它适用于需要高效能功率转换的场合,例如适配器、充电器、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。
这款MOSFET采用了TOLL(TO-Leadless)封装形式,这种封装有助于提升散热性能并减少寄生电感的影响。同时,其额定电压为60V,适合在中低压应用场景下使用。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:158A
导通电阻(Rds(on)):6.7mΩ
栅极电荷:29nC
总电容(Ciss):4700pF
功耗:175W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
BSC067N06LS3G具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),仅为6.7毫欧,能够有效降低传导损耗。
2. 高效的开关性能,得益于较低的栅极电荷和输出电荷,适合高频开关应用。
3. TOLL封装技术提升了热性能和电气性能,并且支持自动光学检测(AOI)。
4. 符合RoHS标准,环保且可靠。
5. 内置防静电保护功能,增强了器件的鲁棒性。
6. 支持大电流操作,最大连续漏极电流可达158A,适用于高功率密度的设计。
BSC067N06LS3G广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)设计中的同步整流。
2. 电动汽车和混合动力汽车中的DC-DC转换器。
3. 工业应用中的电机控制和驱动。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 快速充电器和其他消费类电子产品的电源管理。
6. LED驱动器中的功率调节电路。
BSC068N06LS3G, BSC066N06LS3G