时间：2025/9/2 5:41:24
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H5MS2622JFR-E3M-C是一款由Hynix（现为SK hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能存储器的一种。这款DRAM芯片通常用于需要高速数据访问和较大存储容量的应用，例如网络设备、工业控制系统、嵌入式系统以及高性能计算设备。H5MS2622JFR-E3M-C采用了先进的制造工艺，确保在高频操作下的稳定性和可靠性。
类型：DRAM
容量：256MB
组织结构：16M x16
电压：2.3V - 3.6V
封装：TSOP
接口：异步
速度等级：5.4ns
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
H5MS2622JFR-E3M-C具备低功耗特性，适合在对功耗有严格要求的系统中使用。其TSOP封装形式有助于减少PCB空间占用，并提高散热性能。此外，该芯片支持异步操作，使其能够适应多种系统设计需求。工业级的工作温度范围保证了其在严苛环境下的稳定性。这款DRAM芯片还具有较高的数据保持能力，能够在不频繁刷新的情况下保持数据完整性。
H5MS2622JFR-E3M-C广泛应用于需要稳定和高速内存的设备中，包括工业控制设备、通信基础设施、网络交换机和路由器、嵌入式系统以及测试测量设备。
H5MS2622JFR-E3M-C的替代型号可能包括其他厂商生产的256MB异步DRAM芯片，例如ISSI的IS42S16256A或Micron的MT48LC16M2A2B4-5A。
